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半导体α、β、γ表面污染监测仪 探测α和β射线及γ射线的辐射监测仪表，采用硅半导体探测器。该仪表小巧轻便且探测效率高，且具有自我诊断功能、通信功能、存储等丰富的功能。
仪器特点 半导体α、β、γ表面污染监测仪
技术规范
测定射线 | α射线，β射线， |
探测器 | 硅半导体 |
有效探测面积 | 100cm2 |
显示范围 | 0～99990 min-1，0～9999000 counts，γ射线：BG～99.9mSv/h |
探测效率 | α射线241Am ≧20%，β 射线 90Sr-90Y ≧ 30% |
时间常数 | 1，3，10 sec，自动 |
趋式数据存储 | 1200 点 |
数据输出 | USB 接口 |
电池寿命 | 7 小时以上 ( 无显示)，6 小时以上 ( 连续显示) |
电 源 | 碱性电池5 号6 节，镍氢充电电池（ 另选） AC100～240 V，AC 适配器（ 另选） |
工作温度 | -5 ～ +45℃ / 23 ～ 113?F |
工作湿度 | ≤ 90 %RH ( 无结露） |
尺 寸 | 120(W)×56(H)×293(D) mm，4.7(W)×2.2(H)×11.5(D) in |
重 量 | 约 0.75 kg / 1.65 lb. ( 不含电池) |
依据标准 | IEC60325 (2002) |
